半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點實驗室開放課題申請指南（2025）
依托中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所組建的半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點實驗室2024年獲批成立，聚焦半導(dǎo)體顯示材料缺陷密度高、芯片能效低等基礎(chǔ)科學(xué)問題，開展關(guān)鍵材料、核心器件與集成芯片的創(chuàng)新研究，突破高質(zhì)量材料生長與高性能芯片制備的關(guān)鍵技術(shù)，集聚一批由戰(zhàn)略科學(xué)家、青年學(xué)術(shù)帶頭人等組成的科技創(chuàng)新隊伍，目標(biāo)產(chǎn)出一批原創(chuàng)性科技成果，推動科技成果的轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，著力建設(shè)成半導(dǎo)體顯示材料與芯片領(lǐng)域創(chuàng)新高地。
重點實驗室秉持“開放、聯(lián)合、流動、競爭”的運行機制，鼓勵相關(guān)學(xué)科的相互結(jié)合與促進，設(shè)立開放課題，熱忱歡迎和邀請半導(dǎo)體顯示材料與芯片領(lǐng)域的國內(nèi)外優(yōu)秀科研人員、科研團隊與實驗室開展合作研究。
一、資助領(lǐng)域
1、高質(zhì)量半導(dǎo)體光電材料
GaN基和GaAs基III-V族化合物半導(dǎo)體材料外延生長與測試表征
2、高能效紅綠藍微納光電器件
GaN基和GaAs基化合物半導(dǎo)體微納光電器件（紅綠藍高效Micro-LED、半導(dǎo)體邊發(fā)射與面發(fā)射激光器、超輻射發(fā)光二極管等）制備，器件低熱阻封裝與測試表征，器件性能退化與失效機制分析等
3、半導(dǎo)體顯示多維度調(diào)制器件
數(shù)字微鏡器件DMD、MEMS微振鏡、超表面光場調(diào)控、微納光柵、光波導(dǎo)、驅(qū)動調(diào)制器件
4、高性能半導(dǎo)體顯示集成芯片
激光顯示、XR微顯示、全息顯示、透明/柔性顯示等新型顯示驅(qū)動芯片及其集成微系統(tǒng)
二、申請人條件
申請人須為本單位（中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所）以外的具有中級及以上職稱的科研人員，具有承擔(dān)基礎(chǔ)研究課題或從事基礎(chǔ)研究經(jīng)歷，具備相關(guān)課題組織實施能力，已取得突出的學(xué)術(shù)成果。申請人若具有副高級及以上職稱，可直接申報，無需專家推薦。
三、資助類別和計劃
1、開放課題（前沿探索類）
資助周期一般為1年，資助經(jīng)費為3-6萬元，計劃資助4-6項。
研究內(nèi)容符合重點實驗室主要研究方向，具有一定的原創(chuàng)性、前瞻性、顛覆性。在電子信息、材料、物理或相關(guān)交叉學(xué)科領(lǐng)域，探索凝練關(guān)鍵科學(xué)或技術(shù)問題。鼓勵青年科研人員積極申報。
2、開放課題（重點支持類）
資助周期一般為2年，資助經(jīng)費為8-10萬元，計劃資助1-2項。
研究內(nèi)容符合重點實驗室主要研究方向，鼓勵申請人聯(lián)合本重點實驗室科研人員開展研究，通過實質(zhì)性合作與交流，聯(lián)合攻關(guān)關(guān)鍵科學(xué)或技術(shù)問題。該類課題資助所發(fā)表的論文須將本重點實驗室作為第一或第二署名單位。
四、申請流程
1、申請人填寫附件的開放課題申請書，并將電子版發(fā)送到郵箱xren2011@sinano.ac.cn；文件命名均為：課題類別（前沿/重點）-課題名稱-姓名-單位-日期；
2、初審?fù)ㄟ^后，申請人須經(jīng)所在單位蓋章，向本重點實驗室提交PDF蓋章版開放課題申請書；
3、重點實驗室內(nèi)專家、學(xué)術(shù)委員會專家復(fù)審，并建議資助金額；
4、重點實驗室主任依據(jù)專家評審意見，給予立項；
5、立項后，課題負責(zé)人應(yīng)每半年提交工作小結(jié)，年終提交年度執(zhí)行情況報告，課題完成后應(yīng)提交研究結(jié)題報告（包括工作總結(jié)、學(xué)術(shù)論文和成果）。
五、經(jīng)費管理
課題經(jīng)費嚴格按照預(yù)算執(zhí)行，立項經(jīng)費原則上不外撥，僅限于在中國科學(xué)院蘇州納米所進行財務(wù)報銷及結(jié)算，經(jīng)費使用須符合國家專項經(jīng)費管理制度和中國科學(xué)院蘇州納米所項目經(jīng)費管理相關(guān)制度。
六、研究成果
通過承擔(dān)開放課題產(chǎn)生的各類知識產(chǎn)權(quán)，原則上應(yīng)歸屬于本實驗室與申請人依托單位共有。開放課題產(chǎn)生的成果在對外發(fā)表論文、學(xué)術(shù)交流時，在作者單位欄（除研究人員所在單位外）須署名“半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點實驗室，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所（Key Laboratory of Semiconductor Display Materials and Chips,?Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,?Chinese Academy of Sciences,?Suzhou 215123,P. R. China.）”，并標(biāo)注“半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點實驗室開放課題資助項目（課題編號）,supported by the open research fund of Key Laboratory of Semiconductor Display Materials and Chips,Chinese Academy of Sciences（No: ××××）”；其相關(guān)成果鑒定和報獎由雙方共同辦理。
附件：
半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點實驗室開放課題申請書（2025版）
截止日期：2025年7月20日
聯(lián) 系 人：任昕 ?
聯(lián)系電話：0512-62872758
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