波蘭科學院高壓物理研究所Mike Leszczynski、Ewa Grzanka和Robert Czernecki三位教授來所作學術交流
4月18日,應器件部劉建平研究員邀請,波蘭科學院高壓物理研究所Mike Leszczynski、Ewa Grzanka和Robert Czernecki三位GaN器件領域的知名教授赴蘇州納米所開展學術交流。
三位教授分別作了題為“Present and future nitride semiconductor technology in Poland”“Visualization of the Indium concentration fluctuations in InGaN/GaN quantum wells grown on sapphire template and on GaN bulk substrate and their relationship with QWs decomposition”和“UVA laser with thick single AlInGaN quantum well”的報告,報告會主持人為劉建平研究員。
波蘭科學院高壓物理研究所GaN基材料與器件研究團隊多年來深耕GaN領域,研究領域包括了GaN同質襯底及GaN器件的設計與制備。據(jù)Mike Leszczynski 教授介紹,目前團隊成員包括約100名科研人員和工程師,并依托波蘭科學院高能物理研究所建立了GaN單晶襯底和GaN藍光激光器的生產公司。蘇州納米所器件部GaN基激光器課題組與波蘭科學院高壓物理研究所、廈門大學共同承擔了科技部重點研發(fā)計劃——政府間國際創(chuàng)新合作重點專項,研究缺陷對GaN器件性能的影響。此次學術交流活動,是項目完成驗收之際波蘭高壓物理研究所的再次訪問交流。
三位教授全面介紹了波蘭高能物理研究所在GaN襯底制造及GaN器件領域的研究進展與發(fā)展前景,由淺入深、由點及面地展示了團隊的最新研究進展,并在報告中表示非??春?/font>GaN產業(yè)在中國的未來。最后,三位教授在InGaN量子阱空位缺陷、GaN紫外激光器的p型摻雜等方面與現(xiàn)場師生進行了深入探討。
劉建平研究員主持報告并與Mike Leszczynski教授探討激光3D顯示技術
Ewa Grzanka教授講解InGaN量子阱的熱分解
Robert Czernecki教授講解GaN紫外激光器的研究工作
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