阿卜杜拉國王科技大學(xué)李曉航教授來所交流
7月19日上午,半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點實驗室邀請到阿卜杜拉國王科技大學(xué)(KAUST)的李曉航教授作為主講嘉賓舉辦了一場關(guān)于寬禁帶化合物半導(dǎo)體的學(xué)術(shù)報告。報告會由孫錢研究員主持,為與會者帶來了題為“Wide Bandgap Compound Semiconductors for Future of Moore's Law”(寬禁帶化合物半導(dǎo)體與摩爾定律的未來)的精彩報告。
報告中,李曉航教授詳細闡述了包括AlN、GaN、Ga2O3、In2O3在內(nèi)的寬禁帶化合物半導(dǎo)體的最新進展。這些材料因其獨特的性能,如高擊穿電場、高電子遷移率和高熱導(dǎo)率,在電力電子、射頻應(yīng)用、深紫外可見光等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力,為摩爾定律的持續(xù)發(fā)展提供了新視角。
李曉航教授分享了其團隊在寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料、器件和集成電路研究領(lǐng)域的最新成果。這些研究不僅推動了“More Moore”(更多摩爾)、“More than Moore”(超越摩爾)和“Beyond Moore”(后摩爾時代)的應(yīng)用,更為它們的深入探索奠定了堅實基礎(chǔ)。通過持續(xù)優(yōu)化材料制備工藝、創(chuàng)新器件設(shè)計和集成技術(shù),李曉航教授的團隊在制備高性能寬禁帶半導(dǎo)體器件等方面取得了顯著進展。
整個報告過程中,李曉航教授的講解深入淺出,使得在場的研究人員和學(xué)生都能夠充分理解這一前沿領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。報告結(jié)束后,現(xiàn)場聽眾積極參與提問,就材料制備、器件設(shè)計和潛在應(yīng)用等方面與李曉航教授展開深入的交流與探討。

報告會現(xiàn)場
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