國家標準《III族氮化物半導體材料中位錯成像的測試透射電子顯微鏡法》正式實施
4月1日,由國家市場監(jiān)督管理總局批準發(fā)布的國家標準《III族氮化物半導體材料中位錯成像的測試 透射電子顯微鏡法》(GB/T 44558-2024)正式實施。該標準由中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所聯(lián)合蘇州納維科技、江蘇省第三代半導體研究院、北京大學等12家單位共同制定,為 III 族氮化物半導體材料的質量評價提供了統(tǒng)一依據,對推動我國相關產業(yè)規(guī)范化發(fā)展具有重要意義。??
III族氮化物半導體(如GaN、AlN、InGaN等)是第三代半導體的核心材料,廣泛應用于激光顯示、5G通信、高效照明等領域。位錯作為材料中的關鍵缺陷,直接影響器件的性能和壽命,因此精準的位錯成像表征對產業(yè)發(fā)展至關重要。新標準首次系統(tǒng)規(guī)范了利用透射電子顯微鏡(TEM)對III族氮化物半導體材料中位錯成像的測試全流程,涵蓋試驗條件與設備、樣品制備、試驗步驟與數(shù)據處理等核心技術環(huán)節(jié),為材料缺陷分析提供了科學、可復現(xiàn)的權威方法。 ?
標準制定歷時24個月,依托蘇州納米所測試分析平臺的先進設備和研發(fā)經驗,聯(lián)合產業(yè)鏈上下游企業(yè)完成技術攻關與驗證。通過多實驗室比對,驗證了方法的重現(xiàn)性與可靠性,顯著提升了測試結果的可比性。
蘇州納米所測試分析平臺秉承建設高水平公共服務平臺高水平服務產業(yè)發(fā)展的理念,在第三代半導體光電子材料領域擁有19年的技術積累,擁有國際先進國內領先的第三代半導體材料與器件加工測試先進大型裝備,在相關領域高水平科技論文發(fā)表和發(fā)明專利申請方面處于國際領先地位,牽頭制定6項第三代半導體光電子材料的國家標準,2014年獲得CNAS和CMA資質認定證書。先后獲批蘇州市納米測試分析中心、江蘇省納米測試分析中心、江蘇省納米測試分析創(chuàng)新服務中心,2018年經專家評估成為科技部高技術中心認定的戰(zhàn)略性先進電子材料專項測試中心,在第三代半導體光電子材料檢驗檢測領域處于國內領先地位。
附件下載:

