國家標準《III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯成像的測試透射電子顯微鏡法》正式實施
4月1日,由國家市場監(jiān)督管理總局批準發(fā)布的國家標準《III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯成像的測試 透射電子顯微鏡法》(GB/T 44558-2024)正式實施。該標準由中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所聯(lián)合蘇州納維科技、江蘇省第三代半導(dǎo)體研究院、北京大學(xué)等12家單位共同制定,為 III 族氮化物半導(dǎo)體材料的質(zhì)量評價提供了統(tǒng)一依據(jù),對推動我國相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)范化發(fā)展具有重要意義。??
III族氮化物半導(dǎo)體(如GaN、AlN、InGaN等)是第三代半導(dǎo)體的核心材料,廣泛應(yīng)用于激光顯示、5G通信、高效照明等領(lǐng)域。位錯作為材料中的關(guān)鍵缺陷,直接影響器件的性能和壽命,因此精準的位錯成像表征對產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。新標準首次系統(tǒng)規(guī)范了利用透射電子顯微鏡(TEM)對III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯成像的測試全流程,涵蓋試驗條件與設(shè)備、樣品制備、試驗步驟與數(shù)據(jù)處理等核心技術(shù)環(huán)節(jié),為材料缺陷分析提供了科學(xué)、可復(fù)現(xiàn)的權(quán)威方法。 ?
標準制定歷時24個月,依托蘇州納米所測試分析平臺的先進設(shè)備和研發(fā)經(jīng)驗,聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)完成技術(shù)攻關(guān)與驗證。通過多實驗室比對,驗證了方法的重現(xiàn)性與可靠性,顯著提升了測試結(jié)果的可比性。
蘇州納米所測試分析平臺秉承建設(shè)高水平公共服務(wù)平臺高水平服務(wù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的理念,在第三代半導(dǎo)體光電子材料領(lǐng)域擁有19年的技術(shù)積累,擁有國際先進國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料與器件加工測試先進大型裝備,在相關(guān)領(lǐng)域高水平科技論文發(fā)表和發(fā)明專利申請方面處于國際領(lǐng)先地位,牽頭制定6項第三代半導(dǎo)體光電子材料的國家標準,2014年獲得CNAS和CMA資質(zhì)認定證書。先后獲批蘇州市納米測試分析中心、江蘇省納米測試分析中心、江蘇省納米測試分析創(chuàng)新服務(wù)中心,2018年經(jīng)專家評估成為科技部高技術(shù)中心認定的戰(zhàn)略性先進電子材料專項測試中心,在第三代半導(dǎo)體光電子材料檢驗檢測領(lǐng)域處于國內(nèi)領(lǐng)先地位。
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