香港科技大學(xué)陳敬教授來所交流
12月26日,應(yīng)半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室邀請(qǐng),香港科技大學(xué)陳敬教授來所開展學(xué)術(shù)交流,并作題為“多維氮化鎵功率集成”的前沿學(xué)術(shù)報(bào)告。報(bào)告會(huì)由孫錢研究員主持,吸引了所內(nèi)眾多師生積極參與。
氮化鎵(GaN)憑借其寬禁帶特性與多樣化異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),已在電力電子和射頻領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。報(bào)告會(huì)上,陳敬教授指出,憑借高臨界電場(chǎng)、強(qiáng)極化效應(yīng)等優(yōu)異材料特性,結(jié)合低成本、可擴(kuò)展的硅襯底及與硅工藝兼容的制造技術(shù),氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)技術(shù)為功率集成開辟了廣闊空間,有望成為推動(dòng)數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、可再生能源及智能電網(wǎng)等關(guān)鍵應(yīng)用發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。
報(bào)告中,陳敬教授系統(tǒng)介紹了多維GaN功率集成的最新進(jìn)展。他探討了平面GaN功率器件的溝道優(yōu)化設(shè)計(jì),三維空間拓展,包括如何有效抑制GaN-on-Si平臺(tái)中的背柵效應(yīng)與串?dāng)_問題。此外,陳敬教授著重分析了GaN與碳化硅(SiC)的異質(zhì)集成路徑,指出二者在材料特性上具有互補(bǔ)優(yōu)勢(shì),通過異質(zhì)集成可進(jìn)一步提升器件性能與可靠性,實(shí)現(xiàn)“強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合”。
整 場(chǎng)報(bào)告內(nèi)容豐富、前瞻性強(qiáng),陳敬教授以深厚的學(xué)術(shù)積淀與清晰的邏輯脈絡(luò),揭示了寬禁帶半導(dǎo)體功率集成技術(shù)的應(yīng)用前景與發(fā)展趨勢(shì)。并圍繞異質(zhì)集成工藝、器件可靠性及產(chǎn)業(yè)化路徑等問題與在場(chǎng)師生展開了熱烈而深入的交流討論。

報(bào)告會(huì)現(xiàn)場(chǎng)
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