中國科學院微電子研究所黃森研究員來所交流
5月21日,應半導體顯示材料與芯片重點實驗室邀請,中國科學院微電子研究所黃森研究員來蘇州納米所開展學術交流,并作題為《基于深能級瞬態(tài)譜方法的GaN基功率電子器件可靠性機理探究》的專題學術報告。
氮化鎵(GaN)作為核心第三代寬禁帶半導體材料,憑借優(yōu)異的材料物理性能,在功率電子、射頻通信等領域具備極大的應用價值與發(fā)展?jié)摿?。經過行業(yè)多年技術攻關,GaN材料及相關器件已在電力電子領域實現(xiàn)初步商業(yè)化落地。國家“十五五”規(guī)劃亦明確提出加快寬禁帶半導體產業(yè)提質升級,為產業(yè)技術迭代與規(guī)?;l(fā)展指明了方向。
長期以來,針對GaN材料缺陷尤其是點缺陷,行業(yè)缺乏有效的表征與研究手段,難以構建缺陷特性與器件性能衰減之間的物理關聯(lián)模型,極大限制了相關技術的突破。深能級瞬態(tài)譜(DLTS)作為半導體缺陷檢測與機理研究的核心測試技術,是破解上述難題的重要研究工具。
報告會上,黃森研究員圍繞DLTS技術展開系統(tǒng)性分享,詳細闡釋了DLTS的核心測試原理、實操測試方法與技術迭代發(fā)展歷程,全面梳理了不同類型DLTS測試技術的適用場景與技術優(yōu)勢。同時,他結合國內外學術研究進展,系統(tǒng)介紹了行業(yè)內優(yōu)秀的研究成果,重點分享了其科研團隊及合作團隊近年來的最新研究成果。
材料點缺陷也是光電子材料與器件領域的重點和難點課題之一,DLTS測試技術作為解析半導體點缺陷特性的關鍵手段,對實驗室開展相關研究具有重要的借鑒意義與應用價值,值得科研人員深入鉆研、落地應用。
黃森研究員的講解深入淺出,案例豐富,與會人員積極提問,深入探討,現(xiàn)場學術交流氛圍濃厚。本次活動有效拓寬了實驗室科研團隊的研究思路,為后續(xù)相關課題的技術創(chuàng)新與科研攻關奠定了良好基礎。

報告現(xiàn)場
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