納米器件研究部蔣春萍團隊招聘啟事
一、崗位名稱及人數(shù)
副研究員及以上1名、博士后1-2名。
二、研究方向
超構(gòu)表面技術(shù)在人工智能感知、傳輸、成像和顯示新技術(shù)方面的前沿基礎研究和應用研究。
三、崗位要求及待遇
(一)副研究員及以上
1. 具有光學、電波傳播與天線、電磁場與微波技術(shù)或半導體器件物理等相關(guān)專業(yè)背景博士學位;
2. 崗位要求及待遇詳見研究所“高層次人才招聘啟事”(請點擊鏈接查看)。
(二)博士后
1. 崗位要求
獲得博士學位3年以內(nèi),具有光學或電波傳播與天線或電磁場與微波技術(shù)或半導體器件物理等相關(guān)專業(yè)背景博士學位;
具有熟練掌握光學仿真軟件、電磁場仿真軟件,具有顯示、成像和光場調(diào)控等仿真與設計經(jīng)驗;
具有獨立從事科研工作的能力;
具有良好的英文閱讀,中英文寫作能力;
具有較強的責任心和團隊協(xié)作精神,認真負責的工作態(tài)度,積極創(chuàng)新的科研熱情,扎實的專業(yè)基礎知識與豐富的實驗經(jīng)驗。
2. 崗位待遇
博士后在站期間,固定薪酬28萬元起,特別優(yōu)秀者固定薪酬58萬元起,另加獎勵績效。
可爭取的個人補貼:?
1)?入選江蘇省卓越博士后計劃,可獲得50萬元/30萬元/20萬元人才津貼。
2)?入選博新計劃,可獲得32萬元生活補貼。
3)?入選中國科學院特別研究助理資助項目或研究所“優(yōu)秀博士后計劃”,可獲得12萬元人才津貼。
4)?獲得中國博士后科學基金面上資助和特別資助(項目經(jīng)費8萬-18萬元),分別給予2萬元、5萬元補貼。
其他政策:
在站期間可參加副高級崗位晉升,通過評審可聘為副高級崗位(入編);可申請各類科研項目;可獲得公派出國深造的機會;同時享有人才優(yōu)購、協(xié)助子女入學等待遇;出站留蘇享受30萬元安家補貼。
四、應聘方式
報名截止時間:招滿為止
請應聘者將個人簡歷及相關(guān)證明材料(文章、成果情況等)通過郵件,以“應聘崗位+姓名”為主題發(fā)送至蔣老師郵箱:cpjiang2008@sinano.ac.cn。
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