Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer
| 論文編號: | |
|---|---|
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | Wu YX; Zhu JJ; Chen GF; Zhang SM; Jiang DS; Liu ZS; Zhao DG; Wang H; Wang YT; Yang H(楊輝) |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | Chinese Physics B |
| 年: | 2010 |
| 卷: | |
| 期: | |
| 頁: | |
| 聯(lián)系作者: | |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: |
