一直圍繞高質(zhì)量氮化物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)開(kāi)展工作，開(kāi)展了與GaN晶格匹配的鋁酸鋰、鎵酸鋰單晶體生長(zhǎng)研究，并在鋁酸鋰(100)襯底上用MOCVD方法外延生長(zhǎng)出非極性m面GaN（1997年）；系統(tǒng)研究了GaN的MOCVD和MBE生長(zhǎng)機(jī)理，包括起始形核、氮化物的極性選擇、極性控制；率先發(fā)現(xiàn)了極性對(duì)氮化銦(InN)生長(zhǎng)的特殊影響，是國(guó)際上早期發(fā)現(xiàn)InN窄帶隙的研究者之一；加入納米所以來(lái)重點(diǎn)圍繞氮化鎵和氮化鋁的單晶生長(zhǎng)開(kāi)展產(chǎn)業(yè)化研發(fā)工作；研制出GaN單晶襯底的HVPE生長(zhǎng)系統(tǒng)，開(kāi)發(fā)出2英寸單晶氮化鎵襯底的生產(chǎn)工藝流程，相關(guān)成果轉(zhuǎn)化創(chuàng)辦了蘇州納維科技有限公司，產(chǎn)品全球用戶超過(guò)300家，為多種氮化鎵基高端器件的研發(fā)起到了重要支撐；圍繞高質(zhì)量氮化物材料，開(kāi)展了相關(guān)物性和器件物理的研究，探索氮化物半導(dǎo)體的新應(yīng)用；關(guān)于氮化鎵單晶生長(zhǎng)的研究工作入選國(guó)家自然科學(xué)基金委信息學(xué)部十二五優(yōu)秀成果；組織團(tuán)隊(duì)發(fā)展納米尺度空間分辨的綜合光電測(cè)試技術(shù)，研制了多臺(tái)套相關(guān)裝備，在半導(dǎo)體中單個(gè)缺陷和低維結(jié)構(gòu)的新奇物性研究中得到應(yīng)用。發(fā)表SCI論文100余篇，申請(qǐng)專利50余項(xiàng)，國(guó)際會(huì)議特邀報(bào)告20余次，14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)大會(huì)共同主席。承擔(dān)了國(guó)家自然科學(xué)基金的面上項(xiàng)目、重點(diǎn)項(xiàng)目、重大儀器研發(fā)項(xiàng)目，科技部973重大研究計(jì)劃、863項(xiàng)目、科技部國(guó)際合作項(xiàng)目，中科院裝備研制項(xiàng)目，江蘇省重大科技成果轉(zhuǎn)化專項(xiàng)、重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目等，以及發(fā)改委戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)化示范項(xiàng)目等。
