一直圍繞高質(zhì)量氮化物半導(dǎo)體材料生長開展工作,開展了與GaN晶格匹配的鋁酸鋰、鎵酸鋰單晶體生長研究,并在鋁酸鋰(100)襯底上用MOCVD方法外延生長出非極性m面GaN(1997年);系統(tǒng)研究了GaN的MOCVD和MBE生長機(jī)理,包括起始形核、氮化物的極性選擇、極性控制;率先發(fā)現(xiàn)了極性對氮化銦(InN)生長的特殊影響,是國際上早期發(fā)現(xiàn)InN窄帶隙的研究者之一;加入納米所以來重點(diǎn)圍繞氮化鎵和氮化鋁的單晶生長開展產(chǎn)業(yè)化研發(fā)工作;研制出GaN單晶襯底的HVPE生長系統(tǒng),開發(fā)出2英寸單晶氮化鎵襯底的生產(chǎn)工藝流程,相關(guān)成果轉(zhuǎn)化創(chuàng)辦了蘇州納維科技有限公司,產(chǎn)品全球用戶超過300家,為多種氮化鎵基高端器件的研發(fā)起到了重要支撐;圍繞高質(zhì)量氮化物材料,開展了相關(guān)物性和器件物理的研究,探索氮化物半導(dǎo)體的新應(yīng)用;關(guān)于氮化鎵單晶生長的研究工作入選國家自然科學(xué)基金委信息學(xué)部十二五優(yōu)秀成果;組織團(tuán)隊(duì)發(fā)展納米尺度空間分辨的綜合光電測試技術(shù),研制了多臺套相關(guān)裝備,在半導(dǎo)體中單個缺陷和低維結(jié)構(gòu)的新奇物性研究中得到應(yīng)用。發(fā)表SCI論文100余篇,申請專利50余項(xiàng),國際會議特邀報告20余次,14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)大會共同主席。承擔(dān)了國家自然科學(xué)基金的面上項(xiàng)目、重點(diǎn)項(xiàng)目、重大儀器研發(fā)項(xiàng)目,科技部973重大研究計劃、863項(xiàng)目、科技部國際合作項(xiàng)目,中科院裝備研制項(xiàng)目,江蘇省重大科技成果轉(zhuǎn)化專項(xiàng)、重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目等,以及發(fā)改委戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)化示范項(xiàng)目等。