| 姓 名： | 孫錢 |
|---|---|
| 職 稱： | 研究員 |
| 學 歷： | 博士研究生 |
| 電 話： | 0512-62872721 |
| 通訊地址： | 蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號 |
| 電子郵件： | qsun2011@sinano.ac.cn |
簡歷：
孫錢，現(xiàn)任中國科學院蘇州納米所研究員、博導(dǎo)，半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點實驗室主任，所黨委委員，美國耶魯大學博士，國家杰出青年科學基金獲得者，國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎獲得者（排名第4）。
2002年提前一年從中國科技大學畢業(yè)，獲材料物理理學學士和計算機科學與技術(shù)工程學士雙學位，并榮獲郭沫若校長獎。同年以全系第一名的成績免試推薦到中國科學院半導(dǎo)體所攻讀碩士學位。2005年碩士畢業(yè)后到美國耶魯大學深造，于2009年獲得博士學位，并榮獲耶魯大學工學院五個系每年唯一的優(yōu)秀博士畢業(yè)生獎Becton獎。博士畢業(yè)后在耶魯大學電子工程系任Associate Research Scientist。2010年6月加入美國硅谷的普瑞光電公司Bridgelux Inc.，任Epi R&D Scientist，在8英寸硅襯底上實現(xiàn)了160流明/瓦的高光效GaN基LED，普瑞光電公司將該技術(shù)轉(zhuǎn)售給日本東芝公司，獲技術(shù)轉(zhuǎn)讓費8000萬美元。
2011年入選國家重點人才工程A類（首批青年項目）回國工作，2012年入選江蘇省“雙創(chuàng)人才”計劃和蘇州工業(yè)園區(qū)“金雞湖雙百人才”；與晶能光電有限公司開展產(chǎn)學研實質(zhì)性合作，帶領(lǐng)團隊成功研發(fā)出新一代硅襯底GaN基高效LED的外延及芯片工藝技術(shù)，并成功實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，2014年晶能光電基于該技術(shù)而新增的LED產(chǎn)品銷售逾4億元人民幣（毛利率逾40%），2015年榮獲國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎（排名第4）；同年獲國家優(yōu)秀青年科學基金資助，并被評為中國電子學會優(yōu)秀科技工作者；2016年成功研制出國際上第一支硅襯底GaN基藍紫光激光器，并實現(xiàn)了室溫連續(xù)電注入激射，入選中國光學十大進展，同年入選江蘇省“雙創(chuàng)團隊”；2017年入選江蘇省僑屆十大杰出人物，2018年入選蘇州市十佳創(chuàng)新先鋒；2022年榮獲第二屆“率先杯”未來技術(shù)創(chuàng)新大賽“決賽優(yōu)勝獎”，同年入選江蘇省“333高層次人才培養(yǎng)工程”第二層次；2023年獲國家杰出青年科學基金資助，2024年主持建設(shè)半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點實驗室，并擔任重點實驗室主任。
近5年主持承擔了國家重點研發(fā)計劃項目、中國科學院戰(zhàn)略B類先導(dǎo)專項、國家自然科學基金項目、中國科學院前沿科學重點研究項目等，累計合同經(jīng)費逾1億元。在Nature Photonics、Light: Science & Applications、ACS Photonics、ISPSD、IEDM、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters等期刊上發(fā)表了230余篇學術(shù)論文。參與編寫了中英文專著各一章，是50余項美國和中國發(fā)明專利的發(fā)明人，部分專利以3200萬元轉(zhuǎn)讓給合作企業(yè)，實現(xiàn)了科技成果轉(zhuǎn)化。應(yīng)邀在氮化物半導(dǎo)體國際學術(shù)會議ICNS、ISSLED、Photonics West、ICMOVPE、APWS、ISGN、CSW、IWUMD、Semicon Taiwan等國際學術(shù)會議和產(chǎn)業(yè)論壇上作特邀報告40余次。現(xiàn)兼任中國科學院元器件專家組成員、中國物理學會發(fā)光分會委員會委員、中國物理學會應(yīng)用物理前沿推介委員會委員、中國電子學會電子材料分會青年副主任委員、中國微米納米技術(shù)學會第四屆理事會理事、中國有色金屬學會寬禁帶半導(dǎo)體專委會委員、中國激光雜志社青年編輯委員會委員、SEMI中國功率及化合物半導(dǎo)體委員會委員。
回國十余年以來一直面向國家戰(zhàn)略需求致力于第三代半導(dǎo)體GaN材料生長、紅綠藍高效micro-LED與紫外大功率LED及激光器等光電子器件、以及GaN基功率電子和微波射頻電子器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。
（1）面向半導(dǎo)體激光顯示及激光加工等需求，開展GaN基藍綠光激光器的材料外延生長與器件工藝研究，包括F-P腔邊發(fā)射激光器、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、以及光子晶體面發(fā)射激光器（PCSEL）等。
（2）面向半導(dǎo)體micro-LED顯示及數(shù)據(jù)中心的芯片間光互連等需求，開展大尺寸低成本的硅襯底InGaN基紅綠藍micro-LED的外延生長及高效芯片工藝技術(shù)研發(fā)，并與硅基CMOS驅(qū)動芯片晶圓鍵合，為小微間距大屏全彩直顯和AR等近眼顯示提供高性能、低成本的全彩micro-LED。
（3）面向人工智能AI算力芯片與數(shù)據(jù)中心及機器人伺服電機的高效供電等需求，開展大尺寸低成本的硅襯底GaN基高頻高效功率電子材料與器件以及GaN基縱向功率電子器件研究。
（4）面向智能手機等移動終端5G通信等需求，開展大尺寸低成本的硅襯底GaN基低壓高效射頻功放及氮極性GaN毫米波電子材料與器件研究。
本課題組前期培養(yǎng)的碩士生和博士生畢業(yè)后分別去美國耶魯大學、美國密西根大學、美國弗吉尼亞理工、中國科技大學等國內(nèi)外知名高校深造，或者去領(lǐng)域內(nèi)龍頭企業(yè)工作。
歡迎感興趣的同學將個人簡歷和本科成績單及排名等材料電子版發(fā)到qsun2011@sinano.ac.cn，抄送xren2011@sinano.ac.cn，文件命名格式如下：姓名-學校及專業(yè)-簡歷；姓名-學校及專業(yè)-本科成績單及排名。
招生（及招聘）方向：半導(dǎo)體材料與器件、材料物理、物理、光電子、微電子等。
研究領(lǐng)域：
社會任職：
獲獎及榮譽：
代表論著：
承擔科研項目情況：
