| 姓 名： | 周宇 |
|---|---|
| 職 稱： | 項目研究員 |
| 學 歷： | 博士研究生 |
| 電 話： | 0512-62872535 |
| 通訊地址： | 蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號 |
| 電子郵件： | yzhou2008@sinano.ac.cn |
簡歷：
2007年獲得中國計量大學光信息科學與技術(shù)專業(yè)理學學士學位。2007-2013年在中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所碩博連讀，獲得中國科學院大學微電子學與固體電子學專業(yè)工學博士學位，期間從事基于氮化鎵（GaN）材料體系的固態(tài)太赫茲光源器件研究工作，利用自行設(shè)計搭建的傅立葉光譜測試系統(tǒng)首次探測到基于光柵耦合的二維電子氣太赫茲輻射。2013-2016年，留所加入硅基氮化鎵半導體材料及器件團隊從事博士后研究，專注于硅基氮化鎵電子器件研發(fā)工作，具體研究硅襯底上基于超薄AlInN勢壘層的高電子遷移率晶體管（HEMT）外延生長，獲得國家自然科學基金（青年基金）資助。2016年正式入職中國科學院蘇州納米所，任助理研究員，期間成功研制出國內(nèi)首支基于常規(guī)刻蝕技術(shù)的p-GaN柵極增強型HEMT，器件閾值電壓達到1.1 V，開關(guān)比達到107，飽和輸出電流達到350 mA/mm，且片內(nèi)均勻性良好。2017年晉升為副研究員，進一步專攻硅基氮化鎵增強型電力電子器件研發(fā)，對基于p型層再生長技術(shù)的GaN基增強型HEMT進行深入研究，目標將其推向真正的實用化。緊密圍繞該目標，主持研發(fā)項目5項，包括中國科學院STS計劃（專項研發(fā)與聯(lián)合攻關(guān)服務(wù)）“硅基氮化鎵增強型電力電子核心器件與產(chǎn)業(yè)化”、蘇州市科技計劃項目（前瞻性應(yīng)用研究）“基于p-GaN再生長的GaN基增強型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)研究”等項目，并參與國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金重點項目等。發(fā)表論文13篇；申請專利12項，4項國際PCT專利，1項授權(quán)。參加國內(nèi)外學術(shù)會議4次，其中，作學術(shù)會議口頭報告2次，國際會議海報展覽2次。
周宇是國家杰青孫錢研究員課題組的核心科研骨干。課題組前期培養(yǎng)的碩士生和博士生畢業(yè)后分別去美國耶魯大學、美國密西根大學、美國弗吉尼亞理工、中國科技大學等國內(nèi)外知名高校深造，或去武漢光迅、武漢新芯、華燦光電、華潤微電子等知名企業(yè)工作。
歡迎對孫錢課題組感興趣的同學將個人簡歷和本科成績單及排名等材料電子版發(fā)到y(tǒng)zhou2008@sinano.ac.cn，抄送xchen2018@sinano.ac.cn，文件命名格式如下：姓名-學校及專業(yè)-簡歷；姓名-學校及專業(yè)-本科成績單及排名。
招生（及招聘）方向：半導體材料與器件、材料物理、物理、光電子、微電子等。
研究領(lǐng)域：
1、III族氮化物半導體材料外延生長；
2、硅基氮化物半導體電子器件研發(fā)。
社會任職：
獲獎及榮譽：
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代表論著：
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承擔科研項目情況：
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