| 姓 名： | 劉建勛 |
|---|---|
| 職 稱： | 項目研究員 |
| 學(xué) 歷： | 博士研究生 |
| 電 話： | 0512-62872535 |
| 通訊地址： | 蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號 |
| 電子郵件： | jxliu2018@sinano.ac.cn |
簡歷：
劉建勛，中國共產(chǎn)黨員，項目研究員，江蘇省優(yōu)秀青年科學(xué)基金獲得者，中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進會會員。兼任江蘇省青科協(xié)第四屆集成電路專業(yè)委員會委員，發(fā)光學(xué)報青年編委，蘇州納米所團委兼職副書記。
2012年本科畢業(yè)于大連理工大學(xué)物理系，同年推免讀研，2017年獲大連理工大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位，入選遼寧省優(yōu)秀畢業(yè)生。2018年加入中國科學(xué)院蘇州納米所楊輝、孫錢研究員團隊，2019年獲中國科學(xué)院基礎(chǔ)前沿科學(xué)0-1原始創(chuàng)新項目擇優(yōu)資助，現(xiàn)任項目研究員、碩士生導(dǎo)師。先后入選江蘇省優(yōu)秀青年科學(xué)基金、江蘇省科技副總、中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進會會員、蘇州工業(yè)園區(qū)技能工匠等。主持承擔(dān)國家自然科學(xué)基金面上與青年項目、國家部委課題、聯(lián)合基金、中國科學(xué)院重點部署項目等。
劉建勛是國家杰青孫錢研究員團隊的核心科研骨干。專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵材料的MOCVD外延生長與應(yīng)用基礎(chǔ)研究工作。面向Micro-LED新型顯示、5G通信等國家重大戰(zhàn)略需求，在InGaN基紅綠藍Micro-LED、AlGaN基深紫外LED、硅基氮化鎵微波射頻與功率器件（HEMT、SBD、HBT）等高質(zhì)量材料生長與應(yīng)用研究中做出了原創(chuàng)性工作。國際首次將無龜裂晶圓級硅襯底GaN材料位錯缺陷密度降低至107cm-2，作為主要發(fā)明人之一的17項專利技術(shù)轉(zhuǎn)化落地。在ACS Photonics、APL、IEEE TED等國際期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文60余篇，參與撰寫氮化物半導(dǎo)體學(xué)術(shù)專著一個章節(jié)。研究成果4次受國際半導(dǎo)體行業(yè)著名雜志Semiconductor Today亮點報道。
招生（及招聘）方向：
歡迎半導(dǎo)體材料與器件、物理、材料、光電子、微電子等學(xué)術(shù)背景的同學(xué)申請。課題組前期培養(yǎng)的碩士和博士生畢業(yè)后分別去美國耶魯大學(xué)、美國密西根大學(xué)、美國弗吉尼亞理工、中國科技大學(xué)等國內(nèi)外知名高校深造，或者去武漢光迅、華燦光電、華潤微電子等知名企業(yè)工作。
歡迎對孫錢課題組感興趣的同學(xué)，將個人簡歷和本科成績單及排名等材料電子版發(fā)到j(luò)xliu2018@sinano.ac.cn，抄送xchen2018@sinano.ac.cn，文件命名格式如下：姓名-學(xué)校及專業(yè)-簡歷；姓名-學(xué)校及專業(yè)-本科成績單及排名。
研究領(lǐng)域：
1.?III族氮化物半導(dǎo)體材料MOCVD外延生長
2.?硅襯底氮化鎵基激光器與Micro-LED材料
3. 硅襯底氮化鎵基微波射頻與功率電子材料
社會任職：
獲獎及榮譽：
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代表論著：
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承擔(dān)科研項目情況：
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